Schottky相关论文
成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT.栅长1.2μm,源漏间距4μm,槽深15nm的器件在3V栅压下饱和电流达到332mA/mm,最大......
The post-silicide of dopant segregation process for adjusting NiSi/n-Si SBH(Schottky barrier height)is described.Adoptin......
By means of analyzing theⅠ-Ⅴcharacteristic curve of NiSi/n-Si Schottkyjunction diodes(NiSi/n-Si SJDs), abstracting the......
深入研究了两种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)高温退火前后的直流特性变化.槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT在500℃N2中退火5......
This paper investigates the current-voltage (I-V) characteristics of Al/Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes (SBDs) in the ......
The epitaxial material, device structure, and corresponding equivalent large signal circuit model of GaAs planar Schottk......
该文报道具有最小比导通电阻的~1.7 k V 4H-SiC结势垒肖特基二极管。首先通过数值仿真对结势垒肖特基(junction barrier Schottky,......
Interface reaction (IR) is a frequently observed phenomenon in the study of advanced thin film materials. It is very im......
The dependence of sintering temperature on Schottky barrier and bulk electron traps of ZnO varistors
In order to investigate the influence of sintering temperature on the Schottky barrier and bulk electron traps of ZnO va......
本文首次报道了高掺杂沟道的GaAs MIS SB FET.在S.I.GaAs衬底上用离子注入Si,同时形成高浓度、超薄的有源层和欧姆接触区,载流子峰......
InP及其三元,四元化合物材料,在微波器件和光电器件中的应用日益广泛,但是,目前尚缺乏一个简便的方法同时测量生长材料的载流子浓......
本文对功率电路中传统使用的P-i-n整流器及肖特基势垒整流器、同步整流器、结势垒控制的肖特基整流器、砷化锭肖特基整流器等新型......
通过高温高压电化学测试,获得不同实验温度下13Cr不锈钢的循环伏安曲线、交流阻抗谱和Mott-Schottky曲线,结合ZSIMPWIN软件和扫描......
通过静态浸泡腐蚀实验以及极化曲线测试、电化学阻抗谱测试、Mott-Schottky曲线等电化学测试技术,结合扫描电子显微镜技术研究了马......
This paper reports the realization of planar Schottky diodes based on nanorod ZnO thin film.The nanorod ZnO thin film wa......
研究和制作了一种新型Au/n-ZnO/p-Si结构的肖特基发射极、异质结集电极紫外增强双极型光电三极管.分析了器件原理,测试了I-V特性、......
研究了基于肖特基二极管的单路和功率合成式110 GHz大功率平衡式二倍频器。单路倍频器电路具有33%的峰值测试效率,且其工作带宽超......
碳化硅作为近年来迅速发展起来的一种宽禁带半导体材料,具有宽禁带、高击穿电场、高载流子饱和漂移速率、高热导率、高功率密度等......
本文分别在金属有机化学汽相沉积(MOCVD)生长的i-Al0.33Ga0.67N/AlN/n-GaN和p-Al0.45Ga0.55N/i-Al0.45Ga0.55N/n+-Al0.65Ga0.35N的......
利用射频磁控溅射技术在SiO2/n-Si和石英玻璃衬底上制备了具有C轴择优取向的ZnO薄膜,研究了退火对ZnO薄膜特性的影响,并在以SiO2/n......
一个新的加速管出厂前,灯丝电压已完成校准、调试,安装、运行几年后的电子枪由于老化导致发射本能逐渐减弱,会发生加速器剂量率的......
采用金属离子注入法形式CoSi2/Si肖特基结并分析电学特性.分别测量不同退火条件下样品的I-V、C-V特性,得出了各样品的势垒高度、串......
研制了Ni/4H-SiC肖特基二极管电离辐照探测器,并采用不同的辐照源进行了测试。实验结果表明,对于低能电子和射线辐照,该探测器都有......
对混合PiN/Schottky二极管（MPS）进行研究，首先对MPS二极管的工作原理进行了分析，通过对MPS二极管、肖特基二极管、PIN二极管的伏安特性......
采用GaAs肖特基二极管工艺,设计并制造了一款宽带无源双平衡混频器,射频、本振频率为1.5-3.7 GHz,变频损耗小于10 dB,本振到射频隔......
对有源箝位正激变换器进行了数学分析,在此理论基础之上着重于研究有源箝位同步整流正激变换器中所出现的肖特基现象以及应用LM502......
通过在GaN缓冲层上先生长一层20nm厚的AIN插入层，成功地在此插入层上生长出了200nm厚的AlxGa1-xN（0．22〈x〈0．28）材料。研究并优化了Alx......
利用原子力显微镜研究了镀Pt探针与生长在银基底上的单根ZnO纳米棒接触的电学特性。实验测得的I-V特性曲线呈基本对称的非线性形状......
本文描述了一种基于固态半导体电子学技术的0.34THz无线通信收发前端。该前端采用超外差混频原理，由0.34THz谐波混频器、0.17TH......
制备了Pt/CdS Schottky紫外探测器，对Pt/CdS Schottky紫外芯片对中波红外（3～5μm）的透过率进行了研究，并对器件光电性能进行了测试分析......
为了探明GaN肖特基紫外探测器漏电流问题,提高探测器的性能,在已有的各种电流输运模型的基础上,把宽禁带的GaN基半导体材料（Eg〉3.4......
结势垒控制肖特基整流管(Junction—Barrier—controlled Schottky Rectifier缩写JBS)是一种新型的肖特基整流管,它集肖特基整流管......
